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VND10BSP-E中文资料

VND10BSP-E图片

VND10BSP-E外观图

  • 大小:196.3KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: IC, SMART PWR SSR 2CH POWERSO10; Device Type:High Side; Module Configuration:High Side; Peak Output Current:14A; Output Resistance:0.1ohm; Input Delay:35μs; Output Delay:140μs; Supply Voltage Range:6V to 26V; Driver Case Style:PowerSO; No. of Pins:10; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Package / Case:PowerSOIC; Base Number:10; Channel Configuration:1/1; No. of Outputs:1; Output Current:5.6A; Output Voltage:40V; Power Dissipation Pd:82W; Supply Voltage Max:26V; Supply Voltage Min:6V; Termination Type:SMD
  • 其它有关文件:VND10BSP View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列:-
  • 类型:高端
  • 输入类型:非反相
  • 输出数:2
  • 导通状态电阻:65 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道:3.4A
  • 电流 - 峰值输出:14A
  • 电源电压:6 V ~ 26 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装:PowerSO-10
  • 包装:管件

VND10BSP-E供应商

更新时间:2023-01-27 01:22:41
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